Electronics Renesas表示，随着市场竞争的增长，该公司提高了对硝酸甘油（GAN）功率设备的承诺，朝着200毫米Wafers和650 V的650 V模式设备转向650 V.半导体Navitas。Navitas已通过与高电力芯片和InfineOn技术的协作更改为200 mm Wafers。这是准备以较大的300毫米晶片生产。 Renesas倡议是基于与美国极地半导体的最新关联协议。以及2027年在日本200毫米的第二个工厂的生产开始。该公司宣布已停止开发碳化硅（SIC）和IGBT硅电源。 GAN业务部门总经理Primit Parikh说：“我们很高兴地宣布，我们致力于为我们的业务部门提供一系列服务。”这结合了芯片开发人员的ofgan transphorm（Parikh曾经是CO -FUNDER）和半导体控制器和对话控制器芯片。他说，双向耗尽模式的设备结构（模式D）是每单位面积的更简单，较小的电阻可降低设备的成本。该方法在数据中心使用的650V设备中找到，双向功能可以接收NVIDIA促进的800V功率传输联盟中使用的±400V。但是，没有计划在转换中开发的高电压1200V设备。帕里夫说：“ 1200V停止，因为我们正在监视市场并与客户沟通。”市场分析师预计，GAN-收入将以每年36％的速度增长，到2030年达到25亿美元，这可能会被低估，因为技术中心可以提高和提高效率。 Navitas Gallium Gallium Gallium trading Navitas半导体今天是半导体制造有限公司（PSMC或FUD））宣布了战略协会，生产开始并继续开发氮化物技术。硅200毫米。 Navitas将在台湾朱尤恩科学园使用200毫米的Fuding Fab Factory。 Sid Sundaresan博士告诉Sid Sundaresan博士说：“生产200毫米至180 nm的工艺节点的生产使我们能够继续创新更高的功率密度，同时提高成本，规模和制造产量。” PowerChip计划生产一组Navitas产品组合，电压从100V到650V不等，以满足48 V基础设施中对氮化壳的需求不断增长，包括Hipperscala数据中心和电动汽车。该设备的第一个身份验证预计将在2025年第四季度完成。预计100V系列将是2026年上半年首次在PowerChip开始生产的产品，该公司预计650V设备将从现有的Navitas TSMC（TSMC）（TSMC）转移到PowerChip，并在接下来的12个月中转移到PowerChip。 “我们希望将来见到您，” Navitas首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan说。 “通过我们与Powerch的联系IP，我们有望看到产品性能，技术进步和盈利能力的持续进展。”“ PowerChip多年来一直在基于GAN的技术中与Navitas合作多年了，我们很高兴地宣布，我们几乎是一个完整的产品认证，这将使我们更接近大规模生产，这将使我们的PowerChip Martin Chu提供了300 mm Infineon Wafer的最终介绍。今年。“我们的300毫米gan的制造详尽地扩展了我们的客户的价值，即我们在硅和甘之间实现成本奇偶尔的目标。 “晶圆的直径越大，加上晶圆的芯片的2.3倍，但没有处理多个200 mm晶片，它也需要一个单个晶圆的外延反应器，雷恩·拉斯（Rennes Las）的帕利克（Palic）说。”自从电压设备最低和TH以来，几年，四到五年现场外延层开始变为12英寸。 “