高带宽内存（HBM）具有实现高容量和高透射率的特征，并且是支持人工智能发展的关键技术之一。作者专注于HBM技术的主要分支，同时，分析和研究与HBM标准相关的专利，组织侵权风险点，可行的替代路线，标准专利设计策略和下一个代价的标准技术预测，以帮助公司统治标准配方的权利。专利申请的一般状况迅速的人工智能发展使HBM能够引导第二次快速增长。美国和韩国在欧洲的美国等技术具有一定的优势。中国开始迟到，但发展迅速，但需要关注欧洲和日本CO Marketsmo的专利设计。外国行业巨头的技术垄断提出了设计和制造集成模型（IDM）。这意味着它具有功能强大的设备，集成软件包和I/O接口（输入/输出）。国家公司目前没有IDM的实力，大学和研究机构缺乏具体的研究和发展。被称为三星的公司的出色市场份额从工业和学术界的合作中受益，国家需要加强工业，学术界，研究和工业连锁店的整合。分析2D技术的主要分支机构动态随机内存技术（DRAM）2D已经进入了二级发展期，因为韩国和USS显然具有更高的优势。自2018年以来，3D DRAM专利申请的数量增加了一年。这是储存制造商紧急打破光刻限制的新方法。中国，美国和韩国积极致力于安排，具有小的国家和国际差距，中国是主要专注于自己的设计。随着尺寸量表的难度，晶体管和DRAM 2D的一致性逐渐成熟，非工业化技术之间的差距较小。在短期内，FinFET（Fin Field效应式晶体管）和高K介电材料（高介电材料）仍然是常规的结构和材料，并且必须及时跟随它们。垂直通道晶体管和通道Gidlresolver（门引起的排水泄漏），并将身体与浮动物体连接到浮动体是4F 2 2 DRAM的关键技术，并专注于实现周围进展。当塔塔（Tata）3D DRAM时，目前3D国内电容和外国电容性之间存在很小的差距。三星对基础设施提出的基础设施的工业化具有清晰的看法，而其他公司仍然没有形成固定的路线。中国具有IG-ZO通道材料（来自Indio Gallium的氧化锌）和SuperString结构的技术力量Res，并可以继续努力促进国内工业化，并在中期重点关注它。对于没有容量的3D DRAM，国家和外国技术路线有所不同。国家申请人注意2T0C（两个没有电容的晶体管）和3T0C（三个无电容的晶体管）。外国申请人将使用浮动体效果到达3D DRAM而无需电容。在中期，我们可以专注于浮动晶体管2T0C，3T0C和浮动以改进设计。从长远来看，Foreign Startup的Neo半导体公司拥有浮动物体的基本专利，并且具有强大的技术力量。自2006年以来，集成包作为实现高带宽内存（HBM）的关键技术。中国开始迟到，但很快发展。 HBM TSV软件包（通过孔的硅）的成本代表30％，由于成本比最高，中央过程和给药比高于工会。中国公司的创新能力应该更加改进。关于TSV，在短期内，我们将采用电气性能解决方案和创新技术，采用孔的制造方法和填充信号的干扰。在中期，功率TSV和信号TSV将分别设计，以确保集成和Mejor同时进行TSV的热性能。从长远来看，我们将寻求通过将硅光子技术与TSV相结合来发展工业化。从耦合的角度来看，在短期刺激，热量消散等中按热中心的非导体。它将集中于改善混合链路的结构以及中期过程中的改进，以提高性能和可靠性。 Xperi（Aixper）具有基本技术，并与行业领导者合作。纳蒂Onal HBM公司可以积极寻找合作。 SMIC和杨氏的记忆使用可以共同开发的混合联合的成熟技术。在全球范围内，高带记忆的专利申请数量正在迅速增长。技术主要来自美国和韩国。两者在I/O界面中具有强大的技术能力DAND研究和开发，并且在世界各地的许多国家和地区都具有不同程度的专利设计。我国商业技术的研究和发展处于早期阶段。行业巨头领导了I/O的相关标准的发展，并且一般国家力量相对较弱。在短期内，绩效测试类别和可靠性保证类别的巧合或外围电路组合的入口阈值很低，这使入门级公司可以改善其设计。 Changxin和其他人可能会考虑加强技术积累在监视和校准工作周期中的关系。中期方法是在可靠性保证技术的内部电路结构中找到的，该技术提供了改进的外围性能设计。偶尔龙 - 期限的改进提高了设计质量。目前，与HBM HBM标准有关的专利分析目前处于中国的早期阶段，需要寻找进步。很少有大学和研究机构参加，公司不知道与标准相关的专利设计。对HBM1-3标准的七个版本的分析表明，与HBM1 2标准相关的高位专利风险点包括伪卡纳尔模式，模式记录，IEEE 1500测试结构等。违反与HBM3标准相关的专利的高风险点包括更新管理，芯片中的ECC（检测和纠正错误），工作周期的监管机构（DCA）和工作周期监视器（DCM）。重新的风险应提前防止涉及的专利违规行为。与HBM标准有关的专利设计最近已成为该领域主要公司之间竞争的重点。 Coreanas and Food Companies Rica的公司在2010年开始关注相关专利，国家创新实体开始迟到。 SK Hynix于2010年开始实施其HBM1性能提高专利，并完全改变了市场份额。自2020年以来，三星已经积极实施了HBM3性能专利，其市场份额将相应增加，而SK Hynix竞争非常激烈。在解决了标准技术HBM1-3的演变之后，我们可以看到，从现有标准技术，分布式体系结构和IEEE 1838测试架构的角度来看，技术开发可能有可能进行。可以包含在标准中的技术包括合并的自我评估电路（BIST）和另外六个镜头。注意T他提前设计了您的专利，以避免知识产权风险。 HBM领域的合作与竞争。近年来，这些需求经常发生在HBM领域，其中90％的案件在美国提出。近年来，这种方法一直在I/O中。在2021年至2022年之间，有10例I/O诉讼案件，I/O表示标准及其经济价值，因此很容易使用NPE购买（实施实体未支付），并用于保护其权利。作者在HBM字段中选择了另外两个典型案例，以分析诉讼过程。出于此案的原因进行判断，Netlist和Samsung之间的诉讼是由于订单供应问题造成了完整协议，包括许可协议。因此，如果签署了跨许可协议，则必须将其与联合开发或供应协议分开签名，以避免协议之间相互影响。需求EN TBT（NPE）和三星是由于以下事实：三星和NPE子公司签署的非预测合同没有限制。通过与NPE签署非犯罪协议，您必须了解所有NPE子公司。从诉讼过程的角度来看，对于Netlist和Samsung，三星已经开始使用Micron进行多方审查，使用RAND原则（理性，非歧视性）来捍卫诉讼过程中赔偿的减少。目前，该案的专利权无效。国家公司要处理涉及案件的诉讼案件，必须完全理解标准配方的原则，采用兰德原则，采用发明者参与标准配方并减少薪酬金额。此外，公司可能会建议诉讼的Alliancesiesta和共同启动非valid或各种零件评论。在结核病之间的诉讼中T和三星收到违规通知时，三星使用第一位检察官的原则将案件转移到NPE的友好法院。相关案例已解决。美国有一个友好的NPE削减。各个创新实体必须了解国家诉讼的司法特征。他们可以使用初始诉讼的原则在其他法院诉讼NPE并采取主动行动。结论提案：首先，政府，工业，学术和研究将共同​​加速“瓶颈”技术的进步。它将加强替代性HBM技术的政策取向，制定和调查政策，建立基本领域和特殊项目，并加强大学IS和研究机构的研发投资。国家创新实体必须共同努力，以补偿IDM的弱点，并加强劳动与合作部门主要国家公司和科学研究机构。它可以参与制定呈现专利的标准，以提高绩效和提高国际竞争力，同时实现技术研究。第二个是基于层次分类系统的“瓶颈”技术的监测，破裂和积累。例如，2D DRAM专注于FinFET和High-K介电材料，并在3d 2T0C，3T0C等方面进行进展。从长远来看，我们将通过人才培训与新技术公司合作，实现3D DRAM容量和混合链接技术的好处的积累。第三，将采取多种措施来保护知识产权。为了监视技术，使用避免设计策略，使用创新技术来采用地毯保护方法，并使用累积技术将核和外围设备结合在一起。预防必须增加，SI不知道违反HBM标准的风险很高。如果合作，则应避免避免许可协议或NPE协议的陷阱。在涉及要约的诉讼时，有必要以灵活的方式使用RAND的原则来捍卫和避免它们，例如NPE的友好法院，同时，联盟的启动可以通过行业关联无效，从而提高了应对诉讼的能力。 （用于促销和促进项目的高带宽记忆研究小组（编辑：Liu Shan）